Circuitos integrados TTL yCMOS

CIRCUITOS INTEGRADOS TTL

Esta familia utiliza elementos que son comparables a los transistores bipolares diodos y resistores discretos, y es probablemente la mas utilizada. A raíz de las mejoras que se han realizado a los CI TTL, se han creado subfamilias las cuales podemos clasificarlas en:

• TTL estándar.
• TTL de baja potencia (L).
• TTL Schottky de baja potencia (LS).
• TTL Schottky (S).
• TTL Schottky avanzada de baja potencia (ALS).
• TTL Schottky avanzada (AS).

Como sus características de voltaje son las mismas (La familia lógica TTL trabaja normalmente a +5V), analizaremos sus velocidades y consumo de potencia. 

Velocidad aproximada	Subfamilia TTL
1.5 ns	Schottky avanzada
3 ns	Schottky
4 ns	Schottky avanzada de baja potencia
10 ns	Schottky de baja potencia
10 ns	estándar
33 ns	baja potencia

Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL

Consumo de potencia por puerta	Subfamilia TTL
1 mW	baja potencia
1 mW	Schottky avanzada de baja potencia
2 mW	Schottky de baja potencia
7 mW	Schottky avanzada
10 mW	estándar
20 mW	Schottky

Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL

Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja potencia reúnen excelentes características de alta velocidad y bajo consumo de potencia.

Debido a su configuración interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.

CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de potencia es mínimo.

Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia	Rango de tensión	Consumo potencia	Velocidad
estándar (4000)	3 – 15 V	10 mW	20 a 300 ns
serie 74C00	3 – 15 V	10 mW	20 a 300 ns
serie 74HC00	3 – 15 V	10 mW	8 a 12 ns

Tabla 3: Subfamilias CMOS

La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.

DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS

Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre un par de pines.

Estos daños pueden prevenirse:

• Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
• Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los soldadores alimentados por ac.
• Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien conexiones en un circuito.
• Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de alimentación.
• Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
• No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra según se requiera.
circuitos integrados TTL